具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211136765.9
IPC分类号：H01L33/42;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00
申请日期：
2022-09-19
申请人：
苏州紫灿科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法
申请号	CN202211136765.9	申请日期	2022-09-19
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-22	公开/公告号	CN115377269A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕 H01L33/42 透明材料〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;2;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州紫灿科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州紫灿科技有限公司	当前权利人	苏州紫灿科技有限公司
发明人	张骏;张毅;岳金顺;陈景文
代理机构	武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	姜婷

摘要

本发明公开了一种具有渐变透明电极接触层的深紫外LED及其制备方法，该具有渐变透明电极接触层的深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和透明电极接触层；透明电极接触层为Mg掺杂的AlGaN单层结构，沿生长方向，透明电极接触层的Mg掺杂浓度呈递增趋势，且Al组分百分数呈递减趋势。本发明通过引入渐变的透明电极接触层，用以替换现有的p型GaN接触层，一方面能够获得较好的欧姆接触，降低电压，改善空穴注入能力；另一方面，解决了现有p型GaN接触层吸光严重的问题，显著减少了p型半导体接触层对于出射光的吸收，大大提高了器件发光效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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