零磁通霍尔大电流传感器的外壳结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220201216.0
IPC分类号：G01R1/04
申请日期：
2012-05-07
申请人：
中国科学院等离子体物理研究所

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专利名称	零磁通霍尔大电流传感器的外壳结构
申请号	CN201220201216.0	申请日期	2012-05-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R1/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R1/00 包括在G01R5/00至G01R13/00或G01R 31/00组中的各类仪器或装置的零部件（测量电消耗量的机电装置所特有的结构零部件入G01R 11/02）〔3，8〕 G01R1/02 一般结构零部件 G01R1/04 外壳；支承构件；端子装置	IPC分类号	G;0;1;R;1;/;0;4查看分类表>
申请人	中国科学院等离子体物理研究所	申请人地址	安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院等离子体物理研究所	当前权利人	中国科学院等离子体物理研究所
发明人	王林森;武旭
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本实用新型公开了一种零磁通霍尔大电流传感器的外壳结构，包括有前、后两个大板，两个大板的两端分别由一个连接板固定连接构成一个截面为四边形的凹槽，两个连接板上分别开有一个通孔，两个连接板上分别安装有一个可拆卸的小压板。本实用新型结构简单、使用方便，把磁芯和补偿线圈的骨架紧紧的固定在凹槽中，使其性能稳定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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