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一种具有阶梯分离栅L型槽横向器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201910585439.8
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/423
申请日期：
2019-07-01
申请人：
长沙理工大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种具有阶梯分离栅L型槽横向器件
申请号	CN201910585439.8	申请日期	2019-07-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-05	公开/公告号	CN110416306A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	长沙理工大学	申请人地址	湖南省长沙市天心区万家丽南路2段960号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长沙理工大学	当前权利人	长沙理工大学
发明人	吴丽娟;丁启林;黄也;朱琳;陈家祺
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有阶梯分离栅L型槽功率器件。本发明主要特征在于：在漂移区中引入阶梯栅构成金属‑半导体‑氧化物(MIS)结构。在关态时，栅极浮空场板自适应漂移区中的施主离子，起到辅助耗尽漂移区作用，栅场板引入额外的电场尖峰，调节器件纵向电场，提高器件的整体耐压。L型槽在保持高耐压的同时极大缩短了漂移区的长度，降低了器件的比导通电阻。

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