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一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201511017224.4
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L27/12
  • 申请日期:
    2015-12-29
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法
申请号CN201511017224.4申请日期2015-12-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2016-06-01公开/公告号CN105633001A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦
代理机构上海光华专利事务所代理人罗泳文
摘要
本发明提供一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法,所述绝缘体岛上硅衬底材料,包括:底层硅;绝缘层,结合于所述底层硅表面,且于对应于制备晶体管沟道的位置具有直至所述底层硅或底部保留有部分绝缘层的凹槽;顶层硅,结合于所述绝缘层表面。本发明通过在对应于制备晶体管沟道的绝缘层中制作凹槽,该凹槽可以完全贯穿于顶层硅及底层硅之间,也可以在凹槽内保留部分的绝缘层,使得后续制备的晶体管沟道下方具有挖空区域。本发明结构及方法简单,可有效提高器件的可靠性,在半导体制造领域具有广泛的应用前景。

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