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一种SOI LIGBT器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810147818.0
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2008-12-11
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种SOI LIGBT器件
申请号CN200810147818.0申请日期2008-12-11
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-05-13公开/公告号CN101431096
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市建设北路二段4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人乔明;蒋苓利;董骁;杨帆;刘新新;廖红;张波
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种SOI LIGBT器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在器件阴极侧增加一个收集阳极注入空穴的深结P+掺杂区(15),以降低流过阴极N+区(11)下P型体区(8)中的空穴电流,并缩短阴极N+区(11)下寄生P型体区(8)电阻长度,从而防止P型体区(8)和阴极N+区(11)构成的PN结正向导通,避免由阴极N+区(11)、P型体区(8)和N-漂移区(14)构成的寄生NPN管开启,提高LIGBT器件的抗闩锁能力。

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