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一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110056340.2
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2011-03-10
  • 申请人:
    杭州电子科技大学
著录项信息
专利名称一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元
申请号CN201110056340.2申请日期2011-03-10
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-08-31公开/公告号CN102169893A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人杭州电子科技大学申请人地址
江苏省南通市海安县胡集镇东庙村7组 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南通市海王电气有限公司当前权利人南通市海王电气有限公司
发明人张海鹏;齐瑞生;孔令军;汪洋;赵伟立;刘怡新;吴倩倩
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人杜军
摘要
本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOILIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区;n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区,第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区,n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区,第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区;器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极,n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层,n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本发明提高了器件的纵向耐压,改善了器件的纵向击穿特性,使器件能够适应更高压,更大电流的工作条件,并改善器件的热特性。

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