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绝缘体上硅反向导通横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310383065.4
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2013-08-28
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司
著录项信息
专利名称绝缘体上硅反向导通横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
申请号CN201310383065.4申请日期2013-08-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-03-18公开/公告号CN104425579A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人张硕;芮强;王根毅;邓小社
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人邓云鹏
摘要
一种SOIRCLIGBT,包括:衬底;隔离氧化层;形成于N型漂移区一端的P+区域;形成于P阱区域的P+发射极区域;形成于P+发射极区域和P阱区域交界处N+发射极区域;形成于N型漂移区远离P+发射极区域一端的集电极区域;设于N型漂移区上的场氧化层;设于场氧化层上的栅氧化层;设于栅氧化层上的多晶硅栅电极;设于栅氧化层上的介质层;设于P+发射极区域上的发射极金属层;设于集电极区域上的集电极金属层。上述SOIRCLIGBT由于在集电极区域设置了N+集电极区域,实现了反向导通能力。N+集电极区域、N型漂移区、和P阱区域构成内置二极管,应用时不需要另外设计反并联二极管单元,节省了芯片面积,同时消除了IGBT与二极管反并联时的寄生参数。

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