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一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210343012.5
  • IPC分类号:H01L27/06;H01L29/739
  • 申请日期:
    2012-09-14
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
申请号CN201210343012.5申请日期2012-09-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-03-06公开/公告号CN102956636A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/06IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人刘斯扬;徐安安;黄栋;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司代理人黄明哲;朱芳雄
摘要
一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,包括:P型衬底,在P型衬底上设有埋氧层,在埋氧层上设有N型外延层,在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区,在N型缓冲阱区内设有P型漏区,在P型体区中设有N型源区和P型体接触区,在N型中心缓冲阱区内设有N型基区和P型发射区,在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层,在栅氧化层的表面设有多晶硅栅,晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层,其特征在于,晶体管为对称型结构,P型漏区上的漏极金属分别与对应的N型基区上的基极金属通过金属层连通,并从P型发射区输出,这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。

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