制造半导体器件的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200410079704.9
IPC分类号：H01L21/30;H01L21/52;H01L21/68
申请日期：
2004-09-17
申请人：
株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司

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著录项信息

专利名称	制造半导体器件的方法
申请号	CN200410079704.9	申请日期	2004-09-17
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2005-03-23	公开/公告号	CN1599035
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/30 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8查看分类表>
申请人	株式会社瑞萨科技;瑞萨东日本半导体公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	牧浩;须贺秀幸
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分，合并了向上推动切割带的三个块，抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块，在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外，在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片，首先，同时向上推动三个块，然后，进一步向上推动中间块和内部块，最后，进一步向上推动内部块。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN1359144A	2002-07-17	2001-12-11	半导体芯片的拾取装置及其拾取方法失效专利	株式会社东芝
2	CN1206329A	1999-01-27	1998-06-11	电子元件的小片接合方法及其小片接合装置失效专利	琳得科株式会社
3	CN1431692A	2003-07-23	2002-11-19	芯片元件供给装置失效专利	株式会社村田制作所
4	CN1341958A	2002-03-27	2001-08-03	芯片的拾取装置及半导体装置的制造方法失效专利	株式会社东芝
5	CN1414602A	2003-04-30	2002-03-26	用环形接触部件剥离半导体器件的方法和装置失效专利	富士通株式会社

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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