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利用等离子体在柔性基片上沉积薄膜

发明专利有效专利

申请号：
CN201480025540.3
IPC分类号：C23C16/50;C23C16/52
申请日期：
2014-05-01
申请人：
路特斯应用技术有限责任公司;凸版印刷有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	利用等离子体在柔性基片上沉积薄膜
申请号	CN201480025540.3	申请日期	2014-05-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-06	公开/公告号	CN105229199A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/50 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/50 借助放电的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;0;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2查看分类表>
申请人	路特斯应用技术有限责任公司;凸版印刷有限公司	申请人地址	美国俄勒冈州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	路特斯应用技术有限责任公司,凸版印刷有限公司	当前权利人	路特斯应用技术有限责任公司,凸版印刷有限公司
发明人	艾瑞克·R·迪基
代理机构	北京市浩天知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘云贵;王东

摘要

用于在柔性基片(102)上沉积薄膜的系统(100)，包括由分隔带(110)分隔开的多个处理区(104，106，108)，等离子体发生器(130)用于在通道近侧产生等离子体区(132)，基片沿通道移动；当系统运行时，用于引导基片在处理区之间来回移动的基片传输装置(128)将基片运输到并暴露在等离子体区。

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