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一种硅片的铝掺杂方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210200799.X
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/268
  • 申请日期:
    2012-06-18
  • 申请人:
    苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司
著录项信息
专利名称一种硅片的铝掺杂方法
申请号CN201210200799.X申请日期2012-06-18
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2012-10-10公开/公告号CN102723265A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;8查看分类表>
申请人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司申请人地址
江苏省苏州市高新区鹿山路199号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团股份有限公司当前权利人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯阳光电力集团股份有限公司
发明人孟夏杰;王栩生;章灵军
代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司代理人陶海锋;陆金星
摘要
本发明公开了一种硅片的铝掺杂方法,包括如下步骤:(1)将待处理的硅片进行清洗;(2)在硅片的表面沉积氧化铝膜;氧化铝膜的厚度为1~50纳米;(3)使用激光烧蚀上述沉积有氧化铝膜的硅片表面,在硅片表层内形成铝掺杂。本发明使用直接沉积的氧化铝膜作为铝掺杂的来源,实验证明,可以获得具有高表面浓度铝掺杂的发射极;同时,相比于使用纯金属铝层,本发明的氧化铝膜在后续的流程中可以被稀盐酸方便的去除,不会给硅片带来污染。

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