一种高介低线宽微波旋磁铁氧体材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211117935.9
IPC分类号：C04B35/40;C04B35/622;C04B35/645;H01F1/01
申请日期：
2022-09-14
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种高介低线宽微波旋磁铁氧体材料及其制备方法
申请号	CN202211117935.9	申请日期	2022-09-14
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-25	公开/公告号	CN115385680A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/26 以铁氧体为基料的〔2，6〕 C04B35/40 含稀土氧化物的〔2，6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;4;0;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;5;;;H;0;1;F;1;/;0;1查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	苏桦;梁吉;杨钊;荆玉兰;李元勋
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	闫树平

摘要

本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种高介低线宽微波旋磁铁氧体材料及其制备方法。本发明通过严格控制Bi离子在YIG旋磁铁氧体中的替代量在12.5～13.5之间，再通过Gd、V、Ca、Zr等离子的复合替代，以及二次球磨时的H3BO3和WO3微量掺杂，并在工艺上引入了热等静压的工艺，最终制备出4πMs为1838～1850Gs，介电常数27～31，铁磁共振线宽≤20Oe的高介低线宽旋磁铁氧体材料。本发明让旋磁铁氧体材料高介电常数和低铁磁共振线宽的兼具成为可能，为微波铁氧体器件的进一步小型化提供了基础。

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