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具有应力结构的二硫化钼薄膜场效应晶体管

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201520729820.4
  • IPC分类号:H01L29/786
  • 申请日期:
    2015-09-18
  • 申请人:
    深圳大学
著录项信息
专利名称具有应力结构的二硫化钼薄膜场效应晶体管
申请号CN201520729820.4申请日期2015-09-18
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人深圳大学申请人地址
广东省深圳市南山区南海大道3688号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳大学当前权利人深圳大学
发明人刘新科;刘强;何佳铸;俞文杰;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;吕有明
代理机构深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)代理人王利彬
摘要
本实用新型涉及一种具有应力结构的二硫化钼薄膜场效应晶体管。该场效应晶体管包括衬底、沉积在所述衬底上的绝缘层、沉积在所述绝缘层上的作为沟道的二硫化钼薄膜层、分别沉积在所述二硫化钼薄膜层上的源极和漏极、沉积在所述二硫化钼薄膜层上的介质层、沉积在所述介质层上的栅极;其特征在于,所述栅极的表面镀有应力材料层,所述应力材料层与所述介质层紧密结合。应力材料层的应力效应通过栅极和介质层传导到二硫化钼薄膜层,从而在作为沟道的二硫化钼薄膜层中引入拉伸应力,使二硫化钼薄膜层的载流子有效质量降低、晶格散射减弱,从而提高了N型载流子迁移率。本实用新型中的应力结构将有效改善场效应晶体管的性能,增大场效应晶体管的驱动电流。

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