多官能环状硅氧烷化合物和由该化合物制备的硅氧烷基聚合物和用该聚合物制备介电薄膜的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200410076698.1
IPC分类号：--
申请日期：
2004-06-30
申请人：
三星电子株式会社

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专利名称	多官能环状硅氧烷化合物和由该化合物制备的硅氧烷基聚合物和用该聚合物制备介电薄膜的方法
申请号	CN200410076698.1	申请日期	2004-06-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-05-18	公开/公告号	CN1616468
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	申铉振;郑铉潭;宣钟白;马相国;林珍亨;李在俊;李光熙;金正培
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张平元;赵仁临

摘要

本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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