使用动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存指示符高速缓存存储器以提供可扩展DRAM高速缓存管理

发明专利有效专利

申请号：
CN201780010596.5
IPC分类号：G06F12/0893
申请日期：
2017-02-01
申请人：
高通股份有限公司

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著录项信息

专利名称	使用动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存指示符高速缓存存储器以提供可扩展DRAM高速缓存管理
申请号	CN201780010596.5	申请日期	2017-02-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-23	公开/公告号	CN108701093A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F12/0893 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F11/00 错误检测；错误校正；监控（在基于记录载体和传感器之间的相对运动而实现的信息存储中的错误检测、校正或监控所用的方法或装置入 G11B 20/18；监控，即，监控记录或重现的进程入G11B 27/36；静态存储中所用的方法或装置入G11C29/00）〔1，4，2006.01〕 G06F11/22 在准备运算或者在空闲时间期间内，通过测试作故障硬件的检测或定位〔3，2006.01〕 G06F11/26 功能检验〔3〕 G06F11/273 检验器硬设备，即输出处理电路〔6〕 G06F12/0893 高速缓存器的组织或结构〔2016.01〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;2;/;0;8;9;3查看分类表>
申请人	高通股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高通股份有限公司	当前权利人	高通股份有限公司
发明人	N·瓦伊德亚纳坦;M·C·A·A·黑德斯;C·B·韦里利
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	杨林勳

摘要

本发明提供使用动态随机存取存储器DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器以提供可扩展DRAM高速缓存管理。在一个方面中，提供DRAM高速缓存管理电路以管理对高带宽存储器中的DRAM高速缓存存储器的存取。所述DRAM高速缓存管理电路包括DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器，其存储从系统存储器DRAM中的主控表读取并含有DRAM高速缓存指示符的主控表项。所述DRAM高速缓存指示符使得所述DRAM高速缓存管理电路能够确定所述系统存储器DRAM中的存储器行是否在高带宽存储器的所述DRAM高速缓存存储器中被高速缓存，且如果是，那么确定所述存储器行被存储在所述DRAM高速缓存存储器的哪一路中。基于所述DRAM高速缓存指示符高速缓存存储器，所述DRAM高速缓存管理电路可确定是否采用所述DRAM高速缓存存储器及/或所述系统存储器DRAM而以优化方式执行存储器存取操作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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