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一种高效SiCMOSFET管-IGBT管并联的电路复合器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201620097849.X
  • IPC分类号:H02M1/00
  • 申请日期:
    2016-01-29
  • 申请人:
    深圳科士达科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种高效SiCMOSFET管-IGBT管并联的电路复合器件
申请号CN201620097849.X申请日期2016-01-29
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M1/00IPC分类号H;0;2;M;1;/;0;0查看分类表>
申请人深圳科士达科技股份有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区高新科技中二路软件园1栋4楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳科士达科技股份有限公司当前权利人深圳科士达科技股份有限公司
发明人刘程宇;杨戈戈;吕安平
代理机构深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)代理人孙伟
摘要
本实用新型属于电子器件领域,尤其涉及一种高效SiC MOSFET管?IGBT管并联的电路复合器件,所述高效SiC MOSFET管?IGBT管并联的电路复合器件包括SiC?MOSFET管和IGBT管,所述SiC MOSFET管?IGBT管和所述IGBT管并联;本实用新型提供的高效SiC MOSFET管?IGBT管并联的电路复合器件巧妙利用了SiC?MOSFET管与IGBT管两种不同器件的优点,避开了他们的缺点,可以明显降低器件损耗,提高变换器的效率,为节能节排做贡献。此外,本电路复合器件适用范围广泛,可以使用于现在IGBT或者SiC MOSFET器件成熟使用的场合,比如buck、boost、有源PFC、逆变器、DCDC变换器等电路。

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