具有穿透纳米孔的三氧化二铝陶瓷箔材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510032663.2
IPC分类号：C04B35/10;C04B35/64;C04B38/00
申请日期：
2005-01-04
申请人：
华南理工大学

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著录项信息

专利名称	具有穿透纳米孔的三氧化二铝陶瓷箔材料的制备方法
申请号	CN200510032663.2	申请日期	2005-01-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-08-17	公开/公告号	CN1654419
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/10 以氧化铝为基料的〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;1;0;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;;;C;0;4;B;3;8;/;0;0查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	周照耀;夏伟;邵明;王郡文
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	盛佩珍

摘要

本发明提供一种具有穿透纳米孔的三氧化二铝陶瓷箔材料的制备方法，包括首先将铝箔贴合在一种导电材料的表面，使材料的表面相接触，维持材料之间导电；再将贴合有铝箔的导电材料作为阳极置于电化学阳极氧化溶液中使铝箔进行氧化反应，从而将铝箔转变成三氧化二铝，并在厚度方向形成穿透的微孔，将三氧化二铝陶瓷箔从导电材料表面上分离之后，则获得具有均匀穿透微孔的单纯的三氧化二铝陶瓷箔材料。本三氧化二铝陶瓷箔材料可以直接应用于气体和液体的精细过滤。本发明可以有效、快速、方便、完整地制得独立存在纳米级孔径的三氧化二铝陶瓷箔材料，工艺简单，操作方便，经济成本低，生产效率高，适合于工业上批量生产应用，市场前景非常广阔。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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