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横向高压半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410804861.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2014-12-19
  • 申请人:
    北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
著录项信息
专利名称横向高压半导体器件
申请号CN201410804861.5申请日期2014-12-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-13公开/公告号CN105762192A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司申请人地址
北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司当前权利人北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司代理人杨贝贝;黄健
摘要
本发明提供了一种横向高压半导体器件,包括:第一导电类型的衬底;第二导电类型的第一掺杂区,形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的高压端一侧,第一导电类型的第二掺杂区,形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的低压端一侧,所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻;第二导电类型的第三掺杂区,形成在所述第一掺杂区之下,自所述横向高压半导体器件的高压端一侧向所述横向高压半导体器件的低压端一侧延伸,至少一个第一导电类型的第四掺杂区,形成在所述第三掺杂区内靠近所述高压端一侧。本发明的横向高压半导体器件缓解了击穿电压和导通电阻两者之间的矛盾。

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