可逆相变材料电性能的表征方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200410053567.1
IPC分类号：--
申请日期：
2004-08-06
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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著录项信息

专利名称	可逆相变材料电性能的表征方法
申请号	CN200410053567.1	申请日期	2004-08-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-03-02	公开/公告号	CN1588664
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	宋志棠;封松林
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	潘振甦

摘要

本发明涉及制备相变存储器(PRAM)所用的相变材料电性能表征的方法，其特征为：通过探针与W/SiO2/Si衬底上相变材料构成存储单元，相变区域首先发生在针尖与相变材料的接触部位，可逆相变区域(纵向与横向尺度)大小与针尖面积、施加在针尖上的电能有关，针尖面积规定了存储器的器件尺度，相变材料非晶到多晶的转变可通过探针接口上的I-V测试系统来实现，一定的电压、电流范围，多次操作，相变区域可由小变大，直致最大饱和尺度。多晶向非晶的转变，可通过PRAM测试系统来实现，转变区域可通过电压脉冲信号脉高、脉宽来控制。该系统可实现对材料可逆相变操作，实现存储单元读、写、擦与疲劳特性的研究。

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