首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

发光二极管及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410246124.8
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/26;H01L33/00
申请日期：
2014-06-05
申请人：
天津三安光电有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光二极管及其制作方法
申请号	CN201410246124.8	申请日期	2014-06-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-13	公开/公告号	CN103985799A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;2;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	天津三安光电有限公司	申请人地址	天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津三安光电有限公司	当前权利人	天津三安光电有限公司
发明人	刘志彬;舒立明;刘明英;张东炎;王良均;王笃祥
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，依次包括衬底、缓冲层、n型导电层、发光区和p型导电层。所述发光区为多量子阱结构，其中至少一个量子阱结构包括：Ⅲ族氮化物的阱层以及在阱层上的基于Ⅲ族氮化物的垒层，所述垒层包含至少一第一SiNx插入层。所述SiNx插入层可以有效减少垒层中的应力，使得生长发光区后的表面较平整，减少缺陷，提高载流子的复合效率。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供