掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210406070.8
IPC分类号：C30B29/32;C30B9/12
申请日期：
2012-10-22
申请人：
中国科学院福建物质结构研究所

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专利名称	掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法
申请号	CN201210406070.8	申请日期	2012-10-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-23	公开/公告号	CN102888654A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/32 钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;2;;;C;3;0;B;9;/;1;2查看分类表>
申请人	中国科学院福建物质结构研究所	申请人地址	福建省福州市杨桥西路155号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院福建物质结构研究所	当前权利人	中国科学院福建物质结构研究所
发明人	王国富;余意;黄溢声;张莉珍;林州斌
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法。该晶体属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为，β=130.68°，，Z=4，Dc=4.63g/cm3。该晶体可采用助熔剂法生长。其吸收光谱在451nm处呈现很大的吸收，吸收截面达到74.4×10-20cm2，吸收半峰宽达到了8nm。该晶体在可见光波段以及近红外波段有强的发射，在1073nm处的发射截面达到了24.3×10-20cm2，该晶体可望成为一种新的激光晶体，并获得实际应用。

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