半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN98100991.3
IPC分类号：--
申请日期：
1998-03-31
申请人：
日本电气株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN98100991.3	申请日期	1998-03-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1998-11-04	公开/公告号	CN1198014
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	横山孝司;山田义明;岸本光司
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	卢纪

摘要

一种对布线上的等离子体SiOF氧化层有良好键合性能并对掩埋布线间隔部位有良好掩埋性能的半导体器件。它在半导体衬底上淀积形成一层要作布线基底的金属层，在金属层上淀积形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层，并在抗反射层上淀积形成一层绝缘层。之后，加工绝缘层图形并用其作掩膜刻蚀抗反射层和金属层加工布线图形并在布线上留有抗反射层和绝缘层。再将加工成图形的布线连同抗反射层和绝缘层一起掩埋入SiOF层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供