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防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201880012953.6
  • IPC分类号:G03F1/64;G03F7/20
  • 申请日期:
    2018-02-09
  • 申请人:
    三井化学株式会社
著录项信息
专利名称防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法
申请号CN201880012953.6申请日期2018-02-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-10-11公开/公告号CN110325908A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F1/64IPC分类号G;0;3;F;1;/;6;4;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人三井化学株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三井化学株式会社当前权利人三井化学株式会社
发明人高村一夫;小野阳介;大久保敦;种市大树;石川比佐子;美谷岛恒明
代理机构北京银龙知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明提供EUV透射性高、释气少、污染少的EUV用防护膜组件及其制造方法。防护膜组件(100)的特征在于,具有防护膜(101)、支撑框(103)以及第1粘接层(109),所述第1粘接层(109)设置于支撑框的与吊挂有防护膜的端部相反一侧的端部,在第1粘接层的沿与防护膜面交叉的方向且处于吊挂防护膜一侧的侧面具有无机物层(111),上述无机物层的质量吸收系数(μm)为5×103cm2/g~2×105cm2/g的范围。

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