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一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010641062.6
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2020-07-06
  • 申请人:
    璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
著录项信息
专利名称一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法
申请号CN202010641062.6申请日期2020-07-06
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-10-30公开/公告号CN111863595A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司申请人地址
江苏省南京市江宁区秣周东路12号未来科技城U谷R410 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人璨隆科技发展有限公司,阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司,新疆璨科半导体材料制造有限公司当前权利人璨隆科技发展有限公司,阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司,新疆璨科半导体材料制造有限公司
发明人李东键;叶宏伦;钟健;张本义;姜政余
代理机构厦门市新华专利商标代理有限公司代理人罗恒兰
摘要
本发明涉及一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法,其包括以下步骤:步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆,并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理;步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层;步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理,并在碳化硅晶圆上形成阻隔区域和开放区域,其中,开放区域没有阻隔层;步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆上生长碳化硅外延层,即可形成高质量籽晶。本发明制备方法成本低,且制备出的籽晶质量高。

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