一种新型金属栅的结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110819643.9
IPC分类号：H01L27/088;H01L21/8234
申请日期：
2021-07-20
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司

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著录项信息

专利名称	一种新型金属栅的结构及其制造方法
申请号	CN202110819643.9	申请日期	2021-07-20
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-12	公开/公告号	CN113644068A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/088 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4查看分类表>
申请人	上海华力集成电路制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力集成电路制造有限公司	当前权利人	上海华力集成电路制造有限公司
发明人	麻尉蔚;徐晓林;周维
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志

摘要

本发明涉及一种新型金属栅的结构及其制造方法。PMOS具有第一栅极结构，NMOS具有第二栅极结构；第一栅极结构包括第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层、第三阻挡层和金属栅；第二栅极结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第二金属层、第三阻挡层和金属栅；第一栅极结构的第一金属层作为PMOS的第一功函数层；第二栅极结构的第二金属层作为NMOS的第二功函数层；第一功函数层和第二功函数层被第二阻挡层分隔开。本发明通过第二阻挡层分隔开第一功函数层和第二功函数层，从而隔离金属栅以及NMOS的第二金属层对PMOS的第一金属层的影响，进而提高了PMOS阀值电压(Vt)面内均匀性，提高良率。

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