半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN02142514.0
IPC分类号：G09G3/32;H01L27/00;G02F1/133;H05B33/00
申请日期：
2002-09-23
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN02142514.0	申请日期	2002-09-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-04-09	公开/公告号	CN1409289
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G09G3/32 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G09 教育；密码术；显示；广告；印鉴 G09G 对用静态方法显示可变信息的指示装置进行控制的装置或电路（在数字计算机与显示器之间传输数据的装置入G06F 3/14；由若干分离源或光控的光电池结合而成的静态指示装置入G09F 9/00；由若干光源的组合而构成的静态的指示装置入H01J，H01K，H01L，H05B 33/12；文件或者类似物的扫描、传输或者重现，如传真传输，其零部件入H04N 1/00）〔3，4，5〕 G09G3/00 仅考虑与除阴极射线管以外的目视指示器连接的控制装置和电路〔3〕 G09G3/20 用于显示许多字符的组合，例如用排列成矩阵的单个元件组成系统构成的页面〔3〕 G09G3/22 采用受控制光源〔3〕 G09G3/30 采用电发光面板〔3〕 G09G3/32 半导体的，例如使用发光二极管〔LED〕〔3，2016.01〕	IPC分类号	G;0;9;G;3;/;3;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;0;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;;;H;0;5;B;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	木村肇
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吴立明;梁永

摘要

提供一种发光器件，它能够以高速执行信号电流写入操作，而不存在构造象素的TFT特性中的分散对发光元件亮度的影响。在信号电流的写入期间电流在其中流动的晶体管的栅长度L被制成小于在光发射期间其中提供给EL元件的电流在其中流动的晶体管的栅长度L，并因此通过有比在常规EL元件中流动的电流大的电流流动进行高速写入。转换和驱动晶体管用于信号写入。通过在光发射期间将电流提供发光元件时使用转换和驱动晶体管以及驱动晶体管，与使用其中使用不同的晶体管进行写入操作和光发射操作的结构相比，可使晶体管特性中的分散对亮度产生较小的影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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