一种具有横纵向电场同时优化元素半导体横向双扩散晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN201710813983.4
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
申请日期：
2017-09-11
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种具有横纵向电场同时优化元素半导体横向双扩散晶体管
申请号	CN201710813983.4	申请日期	2017-09-11
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-13	公开/公告号	CN107799599A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	段宝兴;董自明;杨银堂
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司	代理人	胡乐

摘要

本发明公开一种具有横纵向电场同时优化元素半导体横向双扩散晶体管。该结构是在漏端的漂移区下方设置一个辅助耗尽衬底埋层，同时在LDMOS的漂移区下方、靠近衬底辅助耗尽埋层的衬底区域设置一个具有部分电荷补偿的衬底埋层，在器件的表面横向电场引入一个新的电场峰，使得器件的表面横向电场分布更加均匀，很好的优化了器件的表面横向电场，并同时也在器件体内纵向电场分布中也引入新的电场峰，使得体内纵向电场同时得到了进一步优化。该结构突破了由于纵向耐压受限而带来的电压饱和现象，最重要的是能够切实地同时优化表面横向电场和体内纵向电场，大幅度提高器件的击穿电压。

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