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与光刻机联动的缺陷检测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910788040.X
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2019-08-26
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称与光刻机联动的缺陷检测方法
申请号CN201910788040.X申请日期2019-08-26
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2019-11-15公开/公告号CN110456616A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人刘殳平
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人戴广志
摘要
本发明公开了一种与光刻机联动的缺陷检测方法,晶圆在光刻机涂膜之后的曝光过程中,对硅片的表面高度进行扫描,生成表面高度三维立体图的文件,对实测数据进行大数据分析得到每一片硅片的风险等级,将高风险硅片ID(身份标识号)加入到良率提升部门的抽样中。本发明能够提前预判硅片的优劣情况,优化良率提升部门的抽样。

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