热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910054968.1
IPC分类号：C30B29/28;C30B11/00
申请日期：
2009-07-16
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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著录项信息

专利名称	热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法
申请号	CN200910054968.1	申请日期	2009-07-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-12-16	公开/公告号	CN101603204
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/28 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/28 分子式为A3Me5O12的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;2;8;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市长宁区定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	李红军;杨新波;徐军;苏良碧
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	许亦琳;余明伟

摘要

本发明属于激光晶体领域，具体涉及一种热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法。本发明的热释光或光释光剂量学晶体为一种掺碳钇铝石榴石晶体。本发明还公开了该晶体的制备方法，包括如下步骤：按配比将原料经混料、研磨和成型工艺制得晶体生长原料，然后采用导向温梯法或下降法在还原气氛中生长。本发明的掺碳钇铝石榴石晶体具有更高的热释光和光释光灵敏度，更宽的线性剂量响应范围，更好的热释光和光释光性能稳定性，同时具有加工方便、晶体生长温度低，成本较低的优点。

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