一种场发射显示器的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN03114064.5
IPC分类号：H01J1/304;H01J9/02;H01J9/00
申请日期：
2003-03-26
申请人：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种场发射显示器的制作方法
申请号	CN03114064.5	申请日期	2003-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-09-29	公开/公告号	CN1532866
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J1/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J1/00 电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件（电子光学装置的零部件或离子阱的零部件入H01J 3/00） H01J1/02 主电极 H01J1/30 冷阴极 H01J1/304 场致发射阴极〔7〕	IPC分类号	H;0;1;J;1;/;3;0;4;;;H;0;1;J;9;/;0;2;;;H;0;1;J;9;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	申请人地址	北京市海淀区清华大学物理系变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	当前权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
发明人	刘亮;范守善
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种场发射显示器的制作方法，其包括如下步骤：(1)提供一种工作板；(2)根据预定的显示点阵在工作板上沉积栅极电极；(3)在栅极上形成一层绝缘介质膜；(4)在绝缘介质膜上沉积催化剂层；(5)根据上述预定的显示点阵在催化剂层上形成绝缘层，使该绝缘层的相应于显示点阵的位置留有一空间；(6)通过化学气相沉积法在上述绝缘层的空间内，催化剂层上生长碳纳米管阵列；(7)在碳纳米管阵列上沉积阴极电极；(8)封装阴极电极并去除工作板；(9)用湿法刻蚀工艺去除绝缘层；(10)与带有阳极电极的荧光屏封装。

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