硅外延膜厚测量方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200910188531.7
IPC分类号：G01B7/06;G01B11/06;H01L21/66
申请日期：
2009-12-01
申请人：
无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅外延膜厚测量方法及装置
申请号	CN200910188531.7	申请日期	2009-12-01
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-01	公开/公告号	CN102080949A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B7/00 以采用电或磁的方法为特征的计量设备 G01B7/02 用于计量长度、宽度或厚度（G01B 7/004，G01B 7/12优先）〔6〕 G01B7/06 用于计量厚度	IPC分类号	G;0;1;B;7;/;0;6;;;G;0;1;B;1;1;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡华润上华科技有限公司	当前权利人	无锡华润上华科技有限公司
发明人	张元
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	何平

摘要

本发明涉及一种外延膜厚测量方法，采用两探头厚度量测设备对外延片外延前的厚度进行测量得到外延前外延片的厚度值，采用两探头厚度量测设备对相同外延片外延后的厚度进行测量得到外延后外延片的厚度值，用测量到的外延后外延片的厚度值减去测量到的外延前外延片的厚度值，计算差值得出外延膜厚。本发明对硅片衬底掺杂浓度无特殊要求，硅片的衬底无需采用重掺衬底，降低了部分工艺的成本，避免了重掺衬底中的杂质对外延腔体造成污染，消除了对后面的轻掺衬底轻掺外延工艺的影响，同时无需额外增加成本，并可与现有的外延层平整度测试流程兼容。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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