在一个或多个面上的基底涂层

发明专利有效专利

申请号：
CN201180026914.X
IPC分类号：C23C14/00;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/32;B01J37/02;C25B11/04
申请日期：
2011-05-23
申请人：
蒂森克虏伯伍德公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	在一个或多个面上的基底涂层
申请号	CN201180026914.X	申请日期	2011-05-23
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-02-13	公开/公告号	CN102933735A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;2;;;B;0;1;J;3;7;/;0;2;;;C;2;5;B;1;1;/;0;4查看分类表>
申请人	蒂森克虏伯伍德公司	申请人地址	德国多特蒙德变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	蒂森克虏伯伍德公司	当前权利人	蒂森克虏伯伍德公司
发明人	K-H·杜勒;F·丰克;D·霍曼;S·厄尔曼;P·沃尔特林;卡斯滕·施密特;菲利普·霍夫曼;尤尔弗-史蒂芬·勃依么
代理机构	北京安信方达知识产权代理有限公司	代理人	武晶晶;杨淑媛

摘要

在一个或多个面上的基底涂层，包括通过以下方法可生产的催化活性材料，该方法包括在真空下在一个真空室内沉积材料，其中进行了下列步骤：(a)将至少一个基底装入该真空室，(b)关闭并且抽空该真空室，(c)通过引入一种气态还原剂到该真空室内清洁该基底，(d)去除该气态还原剂，(e)通过真空电弧蒸发施加一个中间层，其中将一个包括相同或相似材料的基底引入到该真空室内，(f)将该真空室设定到一个150°C至400°C的温度，(g)通过真空电弧蒸发施加一个涂层，其中将选自下组的至少一种金属引入到该真空室，该组是钌、铱、钛及其混合物，并且在整个涂覆期间供应氧气，(h)在最后一个步骤中将该真空室再次充满，并且将所涂覆的基底从该真空室取出，其中在真空下在不同的压力下（如果是合适的）进行上述的一些步骤以及从一个步骤到对应的下一步骤的过渡，这些压力是由一种保护气体设定的，其特征在于在一个或多个面上的基底涂层免除了至少99%的原先包含在该基底本身中的组分，其中所施加到该中间层上的涂层免除了至少99%的非氧化金属。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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