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一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510130766.2
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2005-12-28
  • 申请人:
    中国科学院大连化学物理研究所
著录项信息
专利名称一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法
申请号CN200510130766.2申请日期2005-12-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-07-11公开/公告号CN1996623
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中国科学院大连化学物理研究所申请人地址
辽宁省大连市中山路457号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院大连化学物理研究所当前权利人中国科学院大连化学物理研究所
发明人李灿;任通;于睿
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周长兴
摘要
一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术,利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜;CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜;CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法,制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜,和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池,较大幅度的降低了光伏电池的制备成本,为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。

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