封装结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010287391.5
IPC分类号：H01L25/18;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/485;H01L21/60
申请日期：
2020-04-13
申请人：
力成科技股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	封装结构及其制造方法
申请号	CN202010287391.5	申请日期	2020-04-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-16	公开/公告号	CN113130474A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/18 包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;1;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	力成科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力成科技股份有限公司	当前权利人	力成科技股份有限公司
发明人	张简上煜;林南君;徐宏欣
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	张娜;臧建明

摘要

本发明提供一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括重布线路结构、绝缘体、多个导电连接件、第一芯片、第二芯片、模封体、第三芯片以及多个导电端子。重布线路结构具有彼此相对的第一连接面及第二连接面。绝缘体嵌入且贯穿重布线路结构。导电连接件贯穿绝缘体。第一芯片及第二芯片位于第一连接面上。模封体位于重布线路结构上且至少侧向覆盖第一芯片及第二芯片。第三芯片位于第二连接面上。第三芯片通过多个导电连接件电连接第一芯片及第二芯片。导电端子位于第二连接面上。导电端子通过重布线路结构电连接第一芯片或第二芯片。

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