加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110204017.5
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L21/329
  • 申请日期:
    2011-07-21
  • 申请人:
    旺宏电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其制造方法
申请号CN201110204017.5申请日期2011-07-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-01-23公开/公告号CN102891185A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人旺宏电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人旺宏电子股份有限公司当前权利人旺宏电子股份有限公司
发明人陈建志;林正基;连士进;吴锡垣
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人宋焰琴
摘要
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括二极管。二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区通过第一掺杂区分开。第三掺杂区具有相邻近的第一部分与第二部分,分别靠近与远离第二掺杂区。第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。本发明的半导体结构中的二极管的切换速度高、开启电阻低。此外,本发明的二极管能自隔离于其它元件,需要的设计面积小且制造成本低。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供