层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201510426921.9
IPC分类号：H01L21/027;H01L21/308;G03F1/46;G03F1/76;G03F7/00
申请日期：
2015-07-20
申请人：
三星SDI株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置
申请号	CN201510426921.9	申请日期	2015-07-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-11	公开/公告号	CN105575775A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;8;;;G;0;3;F;1;/;4;6;;;G;0;3;F;1;/;7;6;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	三星SDI株式会社	申请人地址	韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星SDI株式会社	当前权利人	三星SDI株式会社
发明人	金旼秀;宋炫知;姜善惠;金成旻;金瑆焕;金永珉;金润俊;金惠廷;南沇希;白载烈;尹星莉;尹龙云;李忠宪;郑瑟基;赵妍熹;洪承希;黄善民;黄元宗;李松世;金命九;刘奈莉
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	杨贝贝;臧建明

摘要

本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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