半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310364657.1
IPC分类号：H01L23/498;H01L23/488;H01L21/60
申请日期：
2013-08-20
申请人：
株式会社东芝

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN201310364657.1	申请日期	2013-08-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2014-10-01	公开/公告号	CN104078439A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝,东芝存储器株式会社	当前权利人	株式会社东芝,东芝存储器株式会社
发明人	渡边昭吾
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	陈海红;段承恩

摘要

提供一种抑制伸出状态的半导体芯片的引线接合时的裂缝和/或破裂等的发生的半导体装置。实施方式的半导体装置1包括：第1芯片群5，具备在电路基础材料2上装载的第1半导体芯片4；第2芯片群10，具备在第1芯片群5上层叠的多个第2半导体芯片9。第2半导体芯片9以使最下层的第2半导体芯片9A从第1芯片群5突出的方式以台阶状层叠。布线基板2和第2半导体芯片9由第2金属引线13电连接。第2金属引线13，对于最下层的第2半导体芯片9A的第2电极焊盘11，仅通过1次的球接来连接。

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