掩膜表面化学处理方法及系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200810211878.4
IPC分类号：G03F1/00
申请日期：
2008-09-18
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	掩膜表面化学处理方法及系统
申请号	CN200810211878.4	申请日期	2008-09-18
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-14	公开/公告号	CN101556430
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备〔3，2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;0;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	苏益辰;许庭豪;秦圣基;李宏仁;谢弘璋;辜耀进
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明是有关于一种掩膜表面化学处理方法及系统。该掩膜表面化学处理方法包括以下步骤：在一掩膜上形成一吸收材质层；于形成该吸收材质层后，对该掩膜进行一等离子体处理以减少化学污染物；对该掩膜进行一化学清洗过程；以及对该掩膜进行一气体喷射过程。该掩膜表面化学处理系统包括：一掩膜台用来固定一掩膜，使该掩膜面朝下；一化学分注器，用来提供至少一化学品，以清洗该掩膜；一等离子体模组，用来对该掩膜进行一等离子体处理，以移除污染物；以及一温度控制模组，用来控制该掩膜的温度。本发明具有清洁掩膜以减少掩膜上残留的具有不同化学键结强度的化学残余物的效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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