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测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310221330.9
  • IPC分类号:H01L23/544;H01L21/66
  • 申请日期:
    2013-06-04
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法
申请号CN201310221330.9申请日期2013-06-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-10-09公开/公告号CN103346142A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/544IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人谢博圣;孙昌;王艳生
代理机构上海申新律师事务所代理人竺路玲
摘要
本发明公开了一种测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法,本发明在测试键结构中增加一第二测试键结构,且在该第二测试键结构上设置至少三个接触孔,通过比较分析第一测试键的电阻值和第二测试键的电阻值的差值,能够在线有效的监测接触孔刻蚀量,从而克服了现有技术中由于未能精确监控接触孔的刻蚀量,而导致的半导体器件良率降低的问题,也克服了当发现电学性能差,只能采用切片的方式以至破坏晶圆来分析观察的问题,进而降低了制造成本,且提高了生产效率。

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