加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高压快开通晶闸管

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201320521870.4
  • IPC分类号:H01L29/74;H01L29/06;H01L29/43
  • 申请日期:
    2013-08-26
  • 申请人:
    湖北台基半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称高压快开通晶闸管
申请号CN201320521870.4申请日期2013-08-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/74
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;4;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;3查看分类表>
申请人湖北台基半导体股份有限公司申请人地址
湖北省襄樊市襄城区胜利街162号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖北台基半导体股份有限公司当前权利人湖北台基半导体股份有限公司
发明人邢雁;张桥;刘鹏;颜家圣;吴拥军;杨宁;肖彦;刘小俐;任丽
代理机构襄阳嘉琛知识产权事务所代理人严崇姚
摘要
本实用新型的名称为高压快开通晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有半导体器件阴极因放大门极渐开线指条太长而存在di/dt耐量低、门极控制开通均匀性差等缺点。它的主要特征是:所述半导体芯片为三端PNPN四层结构,三个端子分别为阳极、阴极和门极;所述的PNPN四层结构,分为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N+阴极区;所述P1阳极区表面增设有阳极P+层,阴极区面的中心门极、放大门极、短路点、短路环区设有P+层。本实用新型具有降低门极、短路点处的横向电阻,降低器件压降,提高门极触发开通的均匀性和高压器件开通速度,满足节能降耗的特点,主要应用于大功率脉冲电源、大功率串联逆变电源等装置。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供