具有电容器的半导体存储器件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01117027.1
IPC分类号：--
申请日期：
1996-09-26
申请人：
联华电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有电容器的半导体存储器件的制造方法
申请号	CN01117027.1	申请日期	1996-09-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2002-05-22	公开/公告号	CN1350328
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	赵芳庆
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	黄敏

摘要

一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法,包括在基底上形成覆盖住晶体管的第一绝缘层;形成穿过该绝缘层并与漏和源极之一连接的第一导电层;形成柱状层及其侧壁的第二导电层;在各导电层上交替形成第一和第二膜层;在第二膜层上方形成第二绝缘层;形成第三导电层并对其构图,使各导电层与第二膜层构成存储电极;去除柱状层与各绝缘层,形成介电层;及在介电层表面形成第四导电层以构成相对电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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