掺Pb2+离子高温相偏硼酸钡晶体及其生长方法和用途

发明专利有效专利

申请号：
CN201410820085.8
IPC分类号：C30B29/22;C30B15/00;C30B17/00;C30B11/00;G02B1/00
申请日期：
2014-12-24
申请人：
中国科学院合肥物质科学研究院

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专利名称	掺Pb2+离子高温相偏硼酸钡晶体及其生长方法和用途
申请号	CN201410820085.8	申请日期	2014-12-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-22	公开/公告号	CN104532350A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/22 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;1;7;/;0;0;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;G;0;2;B;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院合肥物质科学研究院	申请人地址	安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院合肥物质科学研究院	当前权利人	中国科学院合肥物质科学研究院
发明人	万松明;冯德玄;唐小路;张波
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本发明公开了一种掺Pb2+离子高温相偏硼酸钡晶体及其生长方法和用途。这种晶体化学式为PbxBa1‑xB2O4，其中x为Pb2+离子替代Ba2+离子的比例，取值范围为0.005≦x≦0.05。这种晶体可采用提拉法、泡生法和布里奇曼法等熔体法生长，晶体生长原料为PbxBa1‑xB2O4或过量B2O3不超过10mol%的PbxBa1‑xB2O4。这种晶体的物化性能稳定、机械加工性能好、透光波段宽、光损伤阈值大、双折射率大，受激Raman散射（SRS）活性振动模式的频率在635cm–1附近。该晶体可制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、萨那芒特棱镜、洛匈棱镜等光束分离偏振器件，以及相位延迟和光学补偿器件；并可用做SRS晶体在紫外－可见－近红外波段对激光进行变频。

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