多层膜器件及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710481933.0
IPC分类号：H01L23/13;H01L23/14;H01L21/02
申请日期：
2017-06-22
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	多层膜器件及方法
申请号	CN201710481933.0	申请日期	2017-06-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-09	公开/公告号	CN107680943A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/13 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/12 安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底〔2〕 H01L23/13 按形状特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;3;;;H;0;1;L;2;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	张耀仁;纪志坚;高承远;苏鸿文;郭凯翔;施伯铮;阮俊亿
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

本发明实施例提供了一种器件、结构和方法，由此插入层被利用以为较弱和较柔软的介电层提供附加的支撑。插入层可应用在两个较弱的介电层之间或者插入层可以单层介电材料方式使用。一旦形成，沟槽和通孔被形成在复合层内，并且插入层帮助提供将限制或消除不期望的弯曲或其他结构移动的支撑，不期望的弯曲或其他结构移动可能妨碍诸如用导电材料填充沟槽和通孔的后续工艺步骤。本发明实施例涉及多层膜器件及方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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