一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410500175.9
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20
申请日期：
2014-09-25
申请人：
东莞市中镓半导体科技有限公司

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专利名称	一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法
申请号	CN201410500175.9	申请日期	2014-09-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-20	公开/公告号	CN105514224A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人	东莞市中镓半导体科技有限公司	申请人地址	广东省东莞市企石镇科技工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞市中镓半导体科技有限公司	当前权利人	东莞市中镓半导体科技有限公司
发明人	汪青;孙永健;陈志忠;张国义;童玉珍
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法。先在蓝宝石衬底上制备GaN单晶外延层；并在高熔点的导热导电转移衬底背面沉积应力补偿层；然后在GaN外延膜及转移衬底表面分别制备高熔点的键合介质层；之后用高温扩散键合技术将GaN外延片与该导热导电衬底键合在一起；最后用衬底剥离技术剥离蓝宝石衬底；则得到可用于GaN生长的高温下稳定且低应力状态的复合衬底。本发明制备的复合衬底，既兼顾以往转移实现的复合衬底具备的同质外延及可直接制备垂直结构器件的优点，又具有低应力状态和高温稳定性，能有效提高后续的GaN外延生长及芯片制备的质量。

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