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一种光刻返工过程中半导体表面处理方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810488113.9
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2018-05-21
  • 申请人:
    湖北光安伦科技有限公司
著录项信息
专利名称一种光刻返工过程中半导体表面处理方法
申请号CN201810488113.9申请日期2018-05-21
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-10-02公开/公告号CN108615673A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人湖北光安伦科技有限公司申请人地址
湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9栋5单元 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖北光安伦芯片有限公司当前权利人湖北光安伦芯片有限公司
发明人代露;吴继清;肖黎明
代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司代理人张涛
摘要
本发明提供了一种光刻返工过程中半导体表面处理方法,包括如下步骤:1)提供包括薄膜层和待返工的光刻胶的半导体结构;2)去胶溶液去除待返工的光刻胶;3)等离子体辉光清理半导体结构表面;4)依次对半导体结构表面进行清洗和干燥工艺;5)在薄膜层表面生长一层掩膜层;6)去除掩膜层;7)在薄膜层表面涂光刻胶。本发明通过在去除光刻胶并完成对半导体结构表面的清洗和干燥工艺后进行生长掩膜层的方法,以修复薄膜层的表面形貌,同时生长过程中一些等离子体可与薄膜层表面的悬键相结合,在去除掩膜层同时降低了表面悬键数量,减少由形貌不佳、悬键过多所造成的缺陷,提高光刻胶与薄膜层附着力,防止光刻胶脱落并提高图形精度,有效提高产出和良率。

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