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一种环栅纳米CMOS结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011537255.3
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L27/092;H01L27/088;H01L21/336
  • 申请日期:
    2020-12-23
  • 申请人:
    张鹤鸣
著录项信息
专利名称一种环栅纳米CMOS结构及其制备方法
申请号CN202011537255.3申请日期2020-12-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-27公开/公告号CN112713191A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人张鹤鸣申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路二号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人张鹤鸣当前权利人张鹤鸣
发明人张鹤鸣
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人李园园
摘要
本发明公开了一种环栅纳米CMOS结构及其制备方法,该环栅纳米CMOS结构包括nMOS和pMOS,其特征在于,所述nMOS包括在半导体衬底上设置的第一纳米体结构和环绕所述第一纳米体结构的第一栅电极,所述pMOS包括在所述半导体衬底上设置的第二纳米体结构和环绕所述第二纳米体结构的第二栅电极,其中,所述第一纳米体结构与所述第二纳米体结构由相同导电类型的半导体材料形成;所述第一栅电极与所述第二栅电极由相同功函数的导电材料形成。本发明的环栅纳米CMOS减少了制备环栅纳米CMOS的工艺步骤,缩减了工艺过程,从而可以降低工艺难度和制备成本,由此还有益于提升环栅纳米CMOS及其集成电路的性能与可靠性。

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