基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路

发明专利无效专利

申请号：
CN201610132990.3
IPC分类号：G06F17/50
申请日期：
2016-03-09
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路
申请号	CN201610132990.3	申请日期	2016-03-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-07-27	公开/公告号	CN105808851A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/50 计算机辅助设计（静态存储的测试电路的设计入G11C 29/54）〔6，8〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	吕红亮，武岳，朱莉，张义门，张玉明
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华，朱红星

摘要

本发明提出了一种基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路，其包括功率单元模块(1)和电流补偿模块(2)。电流补偿模块连接在功率单元模块的输入端，用于控制功率单元模块的输入电流，功率单元模块由磷化铟异质结双极晶体管Q1组成，电流补偿模块由倒向偏置的磷化铟异质结双极晶体管Q2、直流电压源DC和电阻R组成。Q2的基极与Q1的基极相连接，电阻R作为控制开关，连接在Q2的集电极和地之间，直流电压源DC的正极与Q2的发射极相连，负极接地。本发明根据负反馈补偿原理，补偿了InP异质结双极晶体管自热效应，稳定了直流工作点，改善了晶体管输出的线性度，可用于指导射频和微波电路的直流偏置设计。

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