直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010104185.2
IPC分类号：G01F23/00;G01B11/08
申请日期：
2010-01-28
申请人：
杭州慧翔电液技术开发有限公司

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著录项信息

专利名称	直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法
申请号	CN201010104185.2	申请日期	2010-01-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-07-21	公开/公告号	CN101782414A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01F23/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01F 容积、流量、质量流量或液位的测量；按容积进行测量〔2，5〕 G01F23/00 液体液面或流动的固态材料料面的指示或测量，例如，用容积指示，应用报警装置的指示	IPC分类号	G;0;1;F;2;3;/;0;0;;;G;0;1;B;1;1;/;0;8查看分类表>
申请人	杭州慧翔电液技术开发有限公司	申请人地址	浙江省杭州市西湖区西湖科技经济园西园五路16号4B三楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州慧翔电液技术开发有限公司	当前权利人	杭州慧翔电液技术开发有限公司
发明人	曹建伟;张俊;傅林坚;邱敏秀
代理机构	杭州中成专利事务所有限公司	代理人	金祺

摘要

本发明涉及一种硅单晶生产中的测量方法，旨在提供一种基于CCD测量的直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法。该方法包括：使用CCD摄像头获取单晶棒与硅熔体液面相交形成的光圈图像信号，并将信号经过模拟数字转换后传送至计算机系统；提取光圈图像中的图像边缘，得到光圈的椭圆形的像素坐标图；将像素坐标图椭圆形的边缘拟合成正圆；获取该正圆中心点的像素坐标位置；获取硅熔体液面高度数值和单晶棒直径的数值。通过本发明可以实时监控熔体液面的相对位置的变化，这一位置变化会对应CCD检测影像的像素变化，通过图像处理软件分析像素值增减来判断液面的位置变化，通过获得的液面位置值就可以精确控制液面位置值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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