半导体器件、半导体器件制造方法以及固体摄像装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201310429001.3
IPC分类号：H01L23/528;H01L21/768
申请日期：
2013-09-18
申请人：
索尼公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件、半导体器件制造方法以及固体摄像装置
申请号	CN201310429001.3	申请日期	2013-09-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-09	公开/公告号	CN103715175A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	索尼公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼公司	当前权利人	索尼公司
发明人	横山孝司
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司	代理人	陈桂香;褚海英

摘要

本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法以及固体摄像装置。所述半导体器件包括：包含有源区域的半导体层；利用有源区域形成的半导体元件；连接区域，它们是通过将半导体层的一些部分以相对于有源区域孤立的岛状形状金属化而获得的；绝缘膜，其被形成为覆盖半导体层的一个主表面侧；电极，它们被设置成与半导体元件和连接区域面对，且所述电极与所述半导体元件和所述连接区域之间夹着所述绝缘膜；以及接触部，它们贯穿绝缘膜从而选择性地形成在将半导体元件或连接区域连接至电极的各部分之中的所需部分中。本发明能够通过选择接触部的布置方式而不是依赖于仅仅使配线迂回的方式来形成所期望的电路，因此能够实现半导体器件的小型化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供