一种紫外探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910920024.1
IPC分类号：--
申请日期：
2019-09-26
申请人：
华南师范大学

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著录项信息

专利名称	一种紫外探测器及其制备方法
申请号	CN201910920024.1	申请日期	2019-09-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-18	公开/公告号	CN110808308A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	华南师范大学	申请人地址	广东省广州市天河区中山大道西55号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南师范大学	当前权利人	华南师范大学
发明人	高芳亮;张柏林;李述体;刘青;罗幸君;孙一鸣;施江
代理机构	广州市越秀区哲力专利商标事务所（普通合伙）	代理人	成婵娟

摘要

本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器的制备方法包括清洗钛片、电化学腐蚀钛片预处理、生长p型GaN纳米阵列、电化学腐蚀制备TiO2和蒸镀电极，该紫外探测器具有较高比容的GaN和TiO2，生成异质结电场，可实现对光生电子/空穴的快速分离。本发明得到的紫外探测器具有较高的暗光电流比，同时具有自驱动和高响应速度等特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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